非易掉磁阻式RAM推动到单芯片1Gb:内存/硬盘减

admin/2020-03-18/ 分类:小说下载/阅读:
计算机界不时在寻找NVRAM(非易掉随机存取器),即在保管DRAM速度快、延时低(纳秒级)优势的状况下,做到永固数据。 今朝基于NAND的SSD是向NVRAM过渡的产品之一,业内还有铁电RAM( ...

  计算机界不时在寻找NVRAM(非易掉随机存取器),即在保管DRAM速度快、延时低(纳秒级)优势的状况下,做到永固数据。

  今朝基于NAND的SSD是向NVRAM过渡的产品之一,业内还有铁电RAM(FRAM)、磁阻式RAM(MRAM)、电阻式RAM(ReRAM)和Intel曾经商用化的相变RAM(PCRAM)即3D Xpint技巧形状。

  MRAM最近几年来遭到的存眷度很高,Everspin(飞思卡尔子公司)开辟完成后(STT-MRAM,自旋力矩转移MRAM),三星、美光、高通、东芝等都在跟进。

  MRAM与NAND的主要分歧体现在结构道理,前者依附的是分歧的磁性取素来存储信息(诺奖巨磁阻效应),后者则是电荷存储信息,电荷存储的主要后果是需求以较高的电压完成写入,且牢靠性随时间逐渐消耗。

  对比之下,MRAM不只牢靠性/耐用性大年夜大年夜晋升,同时依然可以保持纳秒级的低时延。

  据Anandtech报导,Everspin今朝花费的MRAM单芯片是256Mb,岁尾将试样1Gb(128MB),基于GF的22nm FD-SOI工艺。

  非易掉磁阻式RAM推动到单芯片1Gb:内存/硬盘减速一致

  与此同时,IBM颁布发表,将在明天揭幕的闪存峰会上展现FlashCore系列新品SSD,容量19.2TB,基于3D TLC闪存(64层),主控为FPGA芯片,缓存用的是Everspin的MRAM,大年夜小128MB。

  IBM表现,FPGA主控合营传统的DRAM不能供给更好的写入减速,寿命很低,所以选择了Everspin的MRAM。

  这款SSD采取U.2接口,支撑NVMe规范,可走PCIe 4.0通道。

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